《电子学 2》

第十章A类放大器1

10-1 电晶体的Q点（静态工作点）4

10-2 交流负载线9

10-3 基极驱动型的负载线15

10-4 A类放大器的最佳Q点在那里？24

10-5 A类放大器的最大负载功率30

10-6 大信号的增益与阻抗35

第十一章B类放大器53

11-1 基本理想推挽式的动作55

11-2 非线性失负61

11-3 Q点的设定法63

11-4 B类射极随耦器的完整电路68

11-5 B类电路的功率观念74

11-6 温度效应79

11-7 互补对电晶体85

11-8 其它的B类放大器电路87

第十二章C类放大器109

12-1 C类电路的基本动作111

12-2 基本C类电路的其它动作观念115

12-3 调谐式C类放大器121

12-4 调谐式C类电路的调谐动作125

12-5 功率关系128

12-6 倍频观念131

第十三章场效应电晶体141

13-1 接面场效应电晶体的认识143

13-2 JFET泄极曲线147

13-3 互导曲线（Transconduction Curve）151

13-4 空乏——增强型MOSFET154

13-5 增强型MOSFET160

13-6 总结164

第十四章FET电路分析171

14-1 闸极偏压173

14-2 实际的偏压电路176

14-3 源极偏压180

14-4 电流源偏压182

14-5 P通道JFET偏压186

14-6 MOSFET的偏压190

第十五章分贝（dB）及密勒定理223

15-1 功率增益的分贝计算225

15-2 串级的功率增益228

15-3 贝电压增益234

15-4 密勒定理241

15-5 密勒定理的证明251

15-6 电晶体电路的精确分析254

15-7 拼合参数（h-参数）261

第十六章频率效应273

16-1 滞後网路275

16-2 相位角与频率281

16-3 贝电压增益与频率283

16-4 DC放大器的频率响应292

16-5 上升时间（TR）与频带宽度（BW）294

16-6 FET的高频动作分析300

16-7 双极性电晶体的高频分析308

16-8 导前网路315

16-9 AC放大器的频率响应320

16-10 旁路电容322