《物理译报 第4卷 第1期》
| 作者 | 编者 |
|---|---|
| 出版 | 北京市：科学出版社 |
| 参考页数 | 154 |
| 出版时间 | 1957（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 811005178（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
编者前言1
对半导体现况的认识和当前的任务А.Ф.约飞4
半导体材料的物理学Е.柏斯坦等7
硅和锗的电子能带结构F.赫曼58
回旅共振Б.И.拉祖金94
锗的本征范围内的电导率和霍耳效应F.J.摩润等109
锗和硅中的杂质中心J.A.白尔顿116
空穴和电子的复合统计W.萧克莱等124
镍与铜的杂质对锗中空穴与电子之复合的效应J.A.白尔顿等136
锗中注入载流子的寿命D.纳温等147
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