《表1 S-PIN单元物理尺寸 (单位：μm)》

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《基于S-PIN二极管的频率可重构天线设计》

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在微波开关性能方面，硅基S-PIN二极管具有明显的优势[12]。设计所采用的有绝缘层的S-PIN单元[13]，结构如图1所示。硅衬底上的SiO2绝缘层将本征层与衬底隔开，高浓度载流子注入，P+和N+区域重掺杂，载流子浓度较高，表现出金属特性；I区低掺杂其载流子浓度很低，宽度l达到0.2 mm，电极间的寄生电容足够小，未被激励时，单元整体表现出介质属性。当单元被激励时，通过PIN管的电流使I区产生大量高浓度载流子，此时S-PIN单元表现出高导电性。PIN单元结构的具体参数见表1。