《表1 肖特基二极管2MAF1p5参数》
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《基于肖特基二极管的670 GHz四次谐波混频器设计》
综合考虑上述因素,使用德国ACST公司的准垂直结构反向并联肖特基二极管2MAF1p5。该芯片采用转移薄膜衬底工艺,相比传统商用肖特基二极管,衬底厚度大大降低。同时衬底具有较低的介电常数,能够有效降低高频寄生电容。2MAF1p5相关参数如表1所示。该芯片总寄生电容仅为5 fF,截止频率高达10 THz,完全满足本文670 GHz四次谐波混频器设计需求。
图表编号 | XD0096873800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.08.25 |
作者 | 纪广玉、张德海、孟进 |
绘制单位 | 中国科学院微波遥感技术重点实验室、中国科学院国家空间科学中心、中国科学院大学、中国科学院微波遥感技术重点实验室、中国科学院国家空间科学中心、中国科学院微波遥感技术重点实验室、中国科学院国家空间科学中心 |
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