《表1 图2中各种芳香类分子作为种子生长单层二硫化钼的详细情况[15]》

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《化学气相沉积法制备单层二硫化钼的研究进展》

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注:1L:单层，ML:多层；S:升华，d:分解

上面的CVD方法合成单层MoS2时会出现形核难、结晶性差、薄膜小等问题，尤其发现薄膜的结晶、层数、大小与基底的处理有直接关系[13]，通过种子和基底的处理可以促进形核和薄膜生长。L.-J.Li[13]研究组用类石墨烯分子对基底进行处理，作为种子促进MoS2薄膜的生长。这种方法无需高结晶的金属基底和高真空，就可以在无定型的SiO2表面获得高质量的单层膜，大大降低了制备成本。J.Kong等人[15]详细研究了利用各种芳香类分子和类石墨烯分子作种子对薄膜生长的影响。他们在相对低的温度650℃用CVD法获得了大面积、高质量的单层MoS2膜，并发现优化种子分子的浓度可以更好地促进MoS2形核。图2为各种芳香类分子作为种子生长单层MoS2的光学图像，每张小图的右上角为各种子的厚度及名称，左下角插图是对应种子的分子结构，黄色插图为生长MoS2后的AFM图片。从图2中可以看出用F16CuPc作为种子获得膜的质量最高、单晶性最好、全为单层，用PTCDA作为种子获得膜的连续性最好。表1详细给出了图2中各种芳香类分子作为种子生长单层二硫化钼的详细情况。