《表1 SiCl4和D4主要参数对比》

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《低熔接损耗环保型单模光纤的研制》

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D4与SiCl4相比具有更高的含硅量，其含硅量大约是SiCl4的2～3倍，这意味着同样的产量将需要更少的原料。沸点也是选择原材料的重要指标之一，因为沸点过高将会导致在气化过程中需要更多的能耗，而且在沉积时的稳定性也很难保证[5]，从表1中可以看出，D4的沸点在175℃左右，在工业中实现起来也比较容易。Dobbins等人曾研究过D4和SiCl4的沉积效率，D4的沉积效率比SiCl4至少高出10%以上[6]。另外，原料没有强腐蚀性可以大大地降低对设备的要求，从而降低了设备的投入成本。综上所述，D4将成为制备光棒原料的首要选择。