《表1 电解液中添加不同浓度乙二胺后AZ91D镁合金微弧氧化试样的极化曲线拟合数据》

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《乙二胺对AZ91D镁合金微弧氧化过程火花放电现象及微弧氧化膜性能的影响》

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图4为在电解液中添加不同浓度乙二胺后在AZ91D镁合金表面制备的微弧氧化膜上测得的动电位极化曲线，其中图4a为250V恒压下微弧氧化后试样的极化曲线，4b为400V恒压下微弧氧化后试样的极化曲线。表1列出了极化曲线的计算参数，包括自腐蚀电位Ecorr与腐蚀电流icorr。通过极化曲线可以发现，电解液中加入乙二胺后，微弧氧化试样的腐蚀电流明显下降，之后随着电解液中乙二胺浓度的增加，微弧氧化膜的腐蚀电流进一步下降，乙二胺的浓度为100g/L时，250V与400V恒压下制备的微弧氧化膜的腐蚀电流分别下降了4.31倍与2.37倍，这也证明膜层的耐蚀性有所提高，较低的孔隙率与较小的孔洞尺寸使得膜层可以为镁合金基体提供更好的腐蚀防护作用，而膜厚度的少量减小并没有降低膜层的耐蚀性。