《表1 不同Spiro-OMeTAD旋涂量下器件的性能》

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《基于Spiro-OMeTAD电子阻挡层的量子点发光二极管电荷平衡改善》

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为了研究Spiro-OMeTAD旋涂量对器件性能的影响，在相同的条件下制备了Spiro-OMeTAD旋涂量不同的QLED器件。分别采用20，40，60，80，100μL这5种旋涂量来制备Spiro-OMeTAD薄膜厚度不同的QLED器件，得到的各QLED器件的性能如表1所示。其中，外部量子效率、电流效率与亮度值均指器件在驱动电压为0～10V时的最大值，电流密度为器件在驱动电压为7V时的相应值。