《表1 不同RRAM器件的在MLC方面的关键性能指标》

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《三维神经网络中Nb_2O_(5-x)突触器件的脉冲操作模式优化研究》

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如图5(a）所示，是突触器件的LTD和LTP归一化电导与脉冲的函数。其中每条非线性曲线都用从+6到-6的非线性值标记。图中的正负号仅仅是分别标记LTP和LTD的符号。带有0号标记的曲线是理想的突触器件归一化电导与脉冲数的线性关系。然而实际中，LTP和LTD的非线性行为在今天的突触器件中普遍存在[14]。图5(b）是突触器件经过优化抑制过程之后的函数。可以看出，由TiN/Nb2O5-x/Pt堆叠的RRAM突触器件很容易达到良好的LTP，经过脉冲优化后器件的LTD也有了显著的提高。为了评估性能，对MINST任务的神经网络进行了仿真，仿真源代码来自于NeuroSim+version2.0[15]。经过参数优化的TiN/Nb2O5-x/Pt的RRAM突触器件，训练后的Variation可以降低到3.5%。表1总结了不同RRAM器件的在MLC方面的关键性能指标。