《表1 非晶硅薄膜在各扩散条件下的结晶率》

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《对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结》

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式中:Xc为结晶率，I520、I510、I480分别为拉曼光谱中520 cm-1、510 cm-1、480 cm-1峰的积分强度。以在800℃扩散30 s的样品为例进行拉曼光谱的分峰拟合（图4），得到各峰的积分强度后，代入式（1），计算得到该样品的结晶率为55.7%。利用同样的方法可以得到在其他扩散温度和时间下a-Si的结晶率，结果如表1所示。由表1可看出，随着扩散温度T的升高和扩散时间t的延长，样品的结晶率逐渐增大，说明升高温度或延长时间都有助于a-Si膜的晶化。