《表4 3#掺氟非晶硅薄膜漏电和击穿电压温度特性》
对3号非晶硅薄膜样本的温度特性进行研究,发现随着温度的升高,非晶硅薄膜击穿电压降低。非晶硅薄膜的漏电和击穿电压与温度呈指数关系,即薄膜漏电随温度的升高呈指数增加趋势,而薄膜击穿电压随温度升高呈指数减小,如表4所示。非晶硅薄膜漏电流与温度呈指数关系,如图2所示,非晶硅薄膜的击穿电压与温度呈线性关系,如图3所示。
图表编号 | XD00130964100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.20 |
作者 | 郑若成、王印权、刘佰清、郑良晨 |
绘制单位 | 中科芯集成电路有限公司、中科芯集成电路有限公司、中科芯集成电路有限公司、中科芯集成电路有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |