《表3 掺磷多晶硅腐蚀速率》

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《掺磷多晶硅工艺及其腐蚀速率的研究》

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以LAM-490干法刻蚀机作为刻蚀设备，使用He/Cl2作为工艺气体，1min工艺时间进行掺磷多晶硅腐蚀速率实验（1号片在HF酸后处理实验中已遭破坏）。实验结果如表3所示。