《表1 CNx/DLC多层膜样品的沉积周期、DLC膜每层厚度》

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《DLC层厚度对CN_x/DLC多层膜结构及摩擦学性能的影响》

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LDLC-DLC thickness per layer；LCNx-CNx thickness per layer.

采用直流磁控溅射法在硅基底上制备CNx/DLC纳米多层膜。使用圆形高纯石墨靶，薄膜的基底为单晶硅片。沉积薄膜前，将Si基底放入经稀释的氢氟酸溶液中（氢氟酸与水的体积比为1:9）浸泡5 min，以去除硅片表面氧化层，然后分别在丙酮、酒精以及去离子水中超声清洗10 min，吹干并装入真空镀膜机。通过控制反应气氛及Si基底在石墨靶上方的停留时间，在基底上逐层交替沉积DLC和CNx，制备出CNx层厚度为0.5 nm，而DLC层厚度分别为9.0、7.5、6.0、4.5、3.0 nm的CNx/DLC多层膜，实现DLC/CNx/DLC/CNx/…多层结构（最底层为DLC，最上层为CNx），所有多层膜的厚度控制在400 nm左右。CNx/DLC多层膜样品的沉积周期、DLC膜每层厚度见表1所示。