《表4 22 nm FDSOI工艺环阵输出频率仿真与实测对比》

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《FDSOI背偏与体硅体偏电路的功耗性能对比》

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对流片后22 nm FDSOI工艺环阵进行了ATE测试，ATE设备为J750EX-1测试台。测试了三片环阵，环阵的平均输出频率如表4所示，并针对仿真值和实测值进行了对比。图9给出了输出频率仿真和测试的对比图。