《表1 激光刻蚀与深硅刻蚀的比较》

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《CMUT面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计》

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TSV技术简单来说就是在硅片上制作一个垂直的通孔，然后沉积金属进行导通互连，如图3h）所示。在硅片上制作穿透的通孔，一般使用深硅刻蚀技术或激光烧灼方法完成，两种方法比较如表1所示。随后，在通孔内壁顺次沉积氧化绝缘层、金属阻挡层/粘附层和种子层。绝缘层是将硅通孔沉积金属与衬底进行电学隔离，一般选用绝缘材料Si O2。阻挡层的作用是防止金属种子层穿过氧化绝缘层后进入硅衬底，而影响传感器的电学性能，它也作为种子层的粘附层，提高种子层与Si O2的粘附性，一般使用化学性质稳定的金属材料作为阻挡层，材料可以是钛、钽、铬等[14]。具有导电能力的种子层一般选用电阻率较小和化学性质稳定的金属，大多数采用金属铜（Cu）或金（Au）。