《表1 溶液法制备氧化物TFT的主要性能参数Tab.1 Main performance parameters of the metal-oxide TFT prepared by solution
1) 4∶1为W与L的比值;2) P∶P为PEDOT∶PSS;3) PET为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
为了更直观地呈现溶液法制备MOTFT电学性能的差异性,方便读者比较,表1汇总了采用不同溶液法制备的典型MOTFT的主要性能参数。从表1中可看出,在迁移率方面,采用旋涂法和喷墨打印制备的器件相对较高,普遍接近或者大于10 cm2·V-1·s-1,其中Zn O TFT[26],ZTO TFT[41]和IZTO TFT[21,56]迁移率的最高值均超过100 cm2·V-1·s-1,其次为喷雾法,而丝网印刷的迁移率则最低;在阈值电压方面,旋涂的阈值电压大部分可控制在3 V以内,而EHD喷印的阈值电压相对较高;在亚阈值摆幅方面,大部分方法所制备器件的亚阈值摆幅都比较低,其中旋涂与喷墨打印表现得更为出色,旋涂法甚至达到了0.08 V/dec;在开关电流比方面,大都在5~6数量级范围,文献[53]报道的开关电流比数值为108,而文献[8]中的约为102。总体而言,在众多的溶液法中,旋涂法和喷墨打印采用最为广泛,所制备出的MOTFT器件的整体性能相对较优。
图表编号 | XD00188427800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.05.03 |
作者 | 吴宝仔、廖荣、刘玉荣 |
绘制单位 | 华南理工大学电子与信息学院、华南理工大学电子与信息学院、华南理工大学电子与信息学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |