《表1 不同退火温度柔性STO-TFT性能参数Tab.1 Performance parameters of different annealing temperature flexible STO-

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《硅掺杂氧化锡柔性薄膜晶体管的制备与特性》

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公式中单位面积的栅电容COX=38×10-9F·cm-2，通过读取数值和计算可得如表1中所示电学性能参数。柔性STO-TFT器件在栅极偏压为30 V的条件下，由（IDS）1/2-VGS曲线外推直线[17]可以得到在200，250，300℃退火的器件阈值电压分别为7.05，4.42，2.42 V，阈值电压随退火温度升高逐渐减小，可能是由于高温退火使得金属氧化物有源层薄膜解吸附背沟道上吸附的氧从而提高了载流子的浓度[18]，导致阈值电压减小，有利于器件的开启。载流子迁移率随3种退火温度升高逐渐增大，分别为1.42，2.32，2.81 cm2·V-1·s-1。同时亚阈值摆幅随退火温度升高而升高，300℃退火柔性STO-TFT的亚阈值摆幅为1.95V·dec-1。主要原因可能是在器件退火过程中，由于氧等对绝缘层的作用增加，破坏了有源层和绝缘层的界面特性，使有源层与绝缘层间界面缺陷态增加从而导致亚阈值摆幅上升[19]。3种退火温度的柔性STO-TFT开关比均在5×106附近，获得了良好的器件性能。