《表1 PECVD沉积Si O2芯层或原位包/芯/包层参数Tab.1 Process parameters for Si O2core layer or cladding-core-cladding
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再次采用SI 500D PECVD沉积厚度为4μm的上包层，两个对照组的上包层沉积工艺参数相同，并采用表1中包/芯/包层沉积中包层的工艺参数。硅片经激光划片机切割后，裂片成管芯，工艺流程结束。图4（a）是管芯的光学照片，图4（b）是波导阵列剖面的SEM图。
| 图表编号 | XD00188419300 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.02.03 |
| 作者 | 吕文龙、张春权、吕金科、吕苗 |
| 绘制单位 | 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院、厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院、厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院、厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
