《表1 不同Si O2含量的闪络电压尺度参数U0》

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《环氧树脂/SiO_2纳米复合材料陷阱分布及直流闪络特性》

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绝缘介质击穿概率服从Weibull分布，相同条件下对10组试样进行直流闪络测试[16]。根据双参数Weibull分布，正直流电压下闪络电压与SiO2纳米质量分数之间的关系如图7所示。不同SiO2纳米质量分数下环氧树脂纳米复合材料闪络电压尺度参数U0如表1所示。随着SiO2纳米质量分数的增加，沿面闪络电压将增大，SiO2纳米质量分数为4%时达到最大值，此时U0为16.12 k V比纯环氧树脂的10.20 k V增大了58.04%。进一步增大SiO2纳米质量分数，闪络电压开始降低，当纳米质量分数为8%时，闪络电压减小为12.26 k V，但仍比纯环氧树脂高。