《表2 几种不同器件结温水平对比》

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《新一代高压SiC器件在轨道交通牵引系统应用中的热管理技术》

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半导体器件的许用结温受2个方面的因素共同制约：（1）受芯片本身制约——芯片内受温度激发的本征载流子浓度须小于掺杂浓度；（2）受芯片封装制约——芯片温度不能超过封装允许温度范围。对于宽禁带的全Si C器件而言，芯片中本征载流子的浓度在200℃以上仍然很低，因此芯片结温在理论上可以达到较高水平。然而，当前封装技术并没有出现伴随Si基器件向宽禁带器件的进步而产生相应的技术进步，绑定线和各焊层的寿命仍然受到温度循环的制约。尽管芯片能够耐受高结温，但因为绑定线和焊层无法耐受这样的高结温，当前Si C器件许用结温并未显著超过Si基器件。几种不同器件结温水平对比如表2所示。