《表2 不同连接硅晶片正向偏置电压电流对照表》

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《太阳能电池用硅晶片隐形缺陷检测技术研究》

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实验的主要目的是掌握各种组合联接形式下，进行EL检测的正向偏置电压值及电流值，表2为试验数据。经过实验可以看出，硅晶片串并联时的电压值及电流值没有严格的比例关系，也就是不能将单个硅晶片看成阻值相等的固定电阻来估计它们所加正向偏置电压与电流之间的关系。同时与单个电池片相类似，材料污染对正向偏置电压及电流之间的关系影响较大。由于EL检测过程中的电流是自适应平衡结果，应用上述研究结果，将加载的正向偏置电压所产生的电流处于5.0～5.5 A，实现电池组的无损伤检测。