《表1 4种赝势函数下Sn O2晶胞的能带隙大小Tab.1 Energy band gap of Sn O2cell under four functions》

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《FTO薄膜电子结构和光学性质的PBE0方法研究》

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如表1所示，计算了4种赝势函数下Sn O2晶胞的能带隙大小，可见赝势函数不同，得出的能带隙存在差异。在室温下，本征态Sn O2的禁带光学带隙约为3.56e V（3.5-4.0e V）[18]。比对4种赝势函数下的计算结果，PBE0赝势下的计算结果与Sn O2的禁带宽度实验值大致吻合。因为PBE0相对于PBE加入了25%的Hartree-Fock交换项[14]，计算结果更接近于实验结果，更适合计算薄膜的光学性质。在后文计算中选取了PBE0函数进行电子结构以及光学性质的计算。