《表2 半导体材料发展历程》

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《化合物半导体特性及封装工艺控制》

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第三代半导体材料主要包括Si C、Ga N、金刚石等，因其禁带宽度大于或等于2.3电子伏特（e V），又被称为宽禁带半导体材料。具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是半导体材料领域有前景的材料，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，可以使装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义[3]。