《表1 图1中Tafel曲线的拟合参数》

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《钇掺杂对镁合金表面硅烷膜性能的影响》

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采用Tafel极化曲线外推法对图1进行拟合得到的腐蚀电位φcorr和腐蚀电流密度jcorr列于表1。相对于未掺杂的硅烷膜而言，钇掺杂硅烷膜的腐蚀电位更正，腐蚀电流密度更低，说明钇盐的掺杂能够有效提高硅烷膜的耐蚀性。随着溶液中Y（NO3）3?6H2O质量浓度的增大，钇掺杂硅烷膜的腐蚀电位不断正移，腐蚀电流密度的变化则无明显的规律。Y（NO3）3?6H2O质量浓度为12 g/L时，钇掺杂硅烷膜的腐蚀电流密度最低，腐蚀电位也较正，说明其耐蚀效果最好。