《表6 后表面出射比果:造钚率实验中γ射线自吸收修正研究》
实验测量模型与图1理论模拟模型相同,在高纯锗探头表面放置样品支架,支架上表面距探头表面9 cm,贫化铀片(或组合贫化铀片)置于支架上,243Amα源镀层朝下置于贫化铀片上表面。首先将243Amα源面朝下置于支架上进行测量,得到0厚度情况下探测器277.6 keVγ射线计数率,然后改变贫化铀片(或组合贫化铀片)厚度,测量不同厚度条件下277.6 keVγ射线计数率,进而得到不同厚度贫化铀片的γ射线穿透比(见表6)。将表6中的测量结果用式(2)进行指数拟合,拟合结果如图4所示,拟合相关系数为0.999,非常接近1,线性衰减系数为0.001 06,不确定度为1.38%。
图表编号 | XD00101579300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.10.10 |
作者 | 韩子杰、朱通华、鹿心鑫、安力 |
绘制单位 | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所、中国工程物理研究院核物理与化学研究所、中国工程物理研究院核物理与化学研究所、中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |