教你怎样识别假冒伪劣内存条

内存品牌的认识

关于内存的品牌与市场,很多人的认识存在误区,也就是经常把生产内存芯片的厂商和真正生产内存条的厂商搞混。我们通常说的HY等名称都是指生产这个内存条上芯片的厂商名称,而不是真正生产这个内存条的厂商。难道像三星、现代这些大公司就真的不生产内存条吗?其实也不是的。对于这些大公司来讲,他们大量生产内存芯片,然后对这些芯片进行品质的检查,对其中性能优异的产品会自己留下来,以自己生产内存条之用。内存厂商也会给其它厂商发放大量的内存芯片。一般而言,市场流行的散装内存也是由专门的厂商生产的,只不过这类厂商的规模很小,没有任何名气。因此,他们就干脆就不打品牌或是使用假冒品牌。此外,HY这样的大厂还有很多分厂,因此市场上散装的HY品牌内存也不少。

怎样识别真假内存条

散装内存鉴别品质

散装内存是在行业中存在多年的现象,甚至已经形成一种默契。内存芯片厂商在流水线生产之后都会进入一道检测工序,部分不合格的产品会直接进入报废流程,而品质略微没有达标的产品将会流落到市场,被一些小规模的山寨厂收购。此外,这些山寨厂还通过回收的二手内存重新提出内存芯片,然后进行芯片打磨、芯片封装、内存成型等过程。在购买产品时,首选建议大家选择品牌内存,此外还要仔细查看内存芯片上的字迹是否清晰。

了解一些常见的内存作假手段有助于我们选购内存。事实上,商家作假的手段不外乎打磨内存颗粒。不少内存颗粒具有很强的超频能力,因此无孔不入的JS就想到打磨内存颗粒的作假手段,然后再加印上新的编号参数。其实,我们只要在强光下细心观察,一眼就可以看出区别。打磨过后的芯片暗淡无光,有起毛的感觉,而且加印上的字迹模糊不清晰。当然,更有甚至甚至连芯片打磨的“工序”也省下了,直接更换产品的包装来以次充好,此时大家直接查看内存芯片的编号即可识别。

小心返修内存

当一根内存条损坏而不能使用时,往往只有某一个内存芯片出现问题,而其余芯片都是完好的,这就给JS留下作假的空间。通过对内存芯片的重新焊接,内存条居然可以起死回生。然而很明显的一点是,这类内存往往使用了不同品牌、型号的内存芯片,大家仔细观察既能发现。需要提醒大家的是,这种内存无论多么便宜都不值得购买,因为其安全隐患十分严重。此外,大家还要观察电路板是否整洁,有无毛刺等等,金手指是否明显有经过插拔所留下的痕迹,如果有,则很有可能是返修内存。一般来说内存颗粒的数目是有一定规律可循的,比如单面8颗粒不带ECC、双面8颗粒不带ECC、单面9颗粒带ECC、双面9颗粒带ECC、双面16颗粒不带ECC等等。一般我们所常见的就是这几种内存,如果出现一些颗粒数目非常奇异的内存时,一定要小心,这多半是经过加工补焊过的内存条。

把笔记本电脑内存用在台式电脑上——我能!

      似乎很多人都在提问笔记本内存能用在台式电脑上嘛?或是笔记本CPU用在台式电脑上、笔记本显卡等等问题,现在我主要介绍的是笔记本内存用在台式电脑上的问题。
      首先需要肯定回答的是:在一般情况下,笔记本的内存条是不能用在台式电脑上的。原因是什么呢?
      由于笔记本电脑的空间限制使得笔记本内存条(DDR、DDR2、DDR3)的外形和台式电脑所用的DDR、DDR2、DDR3,以及最新的DDR4内存条的外形是完全不一样的。如下图

2011年1月,三星奉献的全球首款DDR4内存条

      但是,我们可以通过非正常的手段(第三方工具)来实现把笔记本内存条用在台式电脑上。
      首先这得益于中国电脑产业的发展壮大,导致电脑维修行业也颇具规模,为了方便电脑维修人员。于是有很多电子产生生产了一种叫做“内存转接卡”这么一个东西。如下图:

DDR2笔记本内存转接卡[笔记本内存转台式机内存用(200转240)]

      我想一般人只要一看就知道这款工具就大致会猜到它的用处。其外形同台式电脑内存差不多,只是将内存颗粒换成了笔记本内存插槽的样子。“内存转接卡”的使用时对应的,比如笔记本DDR2转台式电脑DDR2、笔记本DDR3转台式电脑DDR3这样。至于有没有笔记本DDR3内存转台式电脑DDR2的我就不知道了,当然笔记本DDR2转台式DDR3这是不可能的。(关于更多笔记本内存转接卡的产品内容以后我会在电脑维修工具栏目介绍)。
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最好的内存条?世界首条频率达到2133MHz的DDR4内存曝光

相比于其他配件,内存的更新换代速度可以称得上非常缓慢。从DDR到DDR2的升级用了5年之久,而DDR3到目前为止也没有完全替代DDR2,二者还会并存于一段时间。

今天我们得到最新消息,三星已经推出了DDR4内存模组!公布的样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相对于DDR3而言,DDR4的功耗要低40%左右。

而据资料显示,DDR4内存频率最高可达4266MHz,电压则能够降至1.1V乃至1.05V。

三星表示,这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。

三星称,上月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助JEDEC组织在今年下半年完成DDR4标准规范的制定工作,预计2012年开始投入商用。

回顾历史,三星曾于1997年、2001年、2005年三次分别率先造出第一条DDR、DDR2、DDR3内存条,如今又在DDR4上继续保持了领先地位。

在2010年里,三星率先迈入了30nm工艺制程,也是业界首次存储工艺制程超越了处理器。而此次对于DDR4三星表现也是非常“激进”,迅速推出了样品,但目前还没有支持DDR4的芯片组,所以离最终走向市场还有一段距离。

感觉:韩国在全球存储领域的龙头地位很NB啊。

168线DIMM内存插槽引脚线路功能底视图表

1 GND 数据线 GND 数据线
2 数据线 数据线 数据线 数据线
3 数据线 VCC 数据线 VCC
4 数据线 数据线 数据线 数据线
5 数据线 数据线 数据线 数据线
 
1 数据线 GND 数据线 GND
2 数据线 数据线 数据线 数据线
3 数据线 数据线 数据线 数据线
4 数据线 VCC 数据线 VCC
5 数据线 数据线 数据线 数据线
6 CB4 CB5 CB0 CB1
7 GND 空脚 GND 空脚
8 NC VCC 空脚 VCC
9 CAS DQM4 /WE DQM0
10 DQM5 CS1 DQM1 CS0
11 RAS GND D/C GND
12 地址线 地址线 地址线 地址线
13 地址线 地址线 地址线 地址线
14 地址线 BA0 地址线 A10/AP
15 地址线 VCC BA1 VCC
 
1 CLK 地址线 VCC CLK
2 GND CKE0 GND DC
3 CS3 DQM6 CS2 DQM2
4 DQM7 GND DQM3 DC
5 VCC 空脚 VCC 空脚
6 空脚 CB6 空脚 CB2
7 CB7 GND CB3 GND
8 数据线 数据线 数据线 数据线
9 数据线 数据线 数据线 数据线
10 VCC 数据线 VCC 数据线
11 空脚 VREF 空脚 VREF
12 空脚 GND CKE1 GND
13 数据线 数据线 数据线 数据线
14 数据线 GND 数据线 GND
15 数据线 数据线 数据线 数据线
16 数据线 数据线 数据线 数据线
17 VCC 数据线 VCC 数据线
18 数据线 数据线 数据线 数据线
19 数据线 GND 数据线 GND
20 CLK 空脚 CLK 空脚
21 SA0 SA1 空脚 CDA
22 SA2 VCC=3.3V SCL VCC

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带图对比详解DDR1,DDR2,DDR3内存条的区别

课前热身

图1就是三代内存的全家照,从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢记住它们的样子,因为后面的内容会提到这幅图。

(图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别

防呆缺口:位置不同防插错

图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口,目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口,大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片,就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。

比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个(双面184个),缺口左边为52个针脚, 缺口右边为40个针脚;DDR2 内存单面金手指120个(双面240个),缺口左边为64个针脚,缺口右边为56个针脚;DDR3内存单面金手指也是120个(双面240个),缺口左边为72个针脚,缺口右边为48个针脚。

芯片封装:浓缩是精华

在不同的内存条上,都分布了不同数量的块状颗粒,它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到,不同规格的内存,内存颗粒的外形和体积不太一样,这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说,DDR内存采用了TSOP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封装)封装技术,又长又大。而DDR2和DDR3内存均采用FBGA(底部球形引脚封装)封装技术,与TSOP相比,内存颗粒就小巧很多,FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。

(图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚

TSOP是内存颗粒通过引脚(图2黄色框)焊接在内存PCB上的,引脚由颗粒向四周引出,所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点,并且颗粒封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,但焊点和PCB的接触面积较小,使得DDR内存的传导效果较差,容易受干扰,散热也不够理想。

FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形(图3),而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点,因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,所有的触点就被“包裹”起来了,外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。

(图3)DDR2和DDR3的方形内存颗粒-这是DDR2/DDR3与DDR一大显著差别

速度与容量:成倍提升

前面我们教大家如何计算内存带宽大小,其实我们在选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽,这样才可以满足CPU的数据传输要求。

而我们从带宽公式(带宽=位宽×频率÷8)可以得知,和带宽关系最紧密的就是频率。这也是为什么三代内存等效频率一升再升的原因之一,其目的就是为了满足CPU的带宽。

不仅速度上有所提升,而且随着我们应用的提高,我们也需要更大容量的单根内存,DDR时代卖得最火的是512MB和1GB的内存,而到了DDR2时代,两根1GB内存就只是标准配置了,内存容量为4GB的电脑也逐渐多了起来。甚至在今后还会有单根8GB的内存出现。这说明了人们的对内存容量的要求在不断提高。

延迟值:一代比一代高

任何内存都有一个CAS延迟值,这就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的时间一样。一般而言,内存的延迟值越小,传输速度越快。

从DDR、DDR2、DDR3内存身上看到,虽然它们的传输速度越来越快,频率越来越高,容量也越来越大,但延迟值却提高了,譬如DDR内存的延迟值(第一位数值大小最重要,普通用户关注第一位延迟值就可以了)为1.5、2、2.5、3;而到了DDR2时代,延迟值提升到了3、4、5、6;到了DDR3时代,延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。

功耗:一次又一次降低

电子产品要正常工作,肯定要有电。有电,就需要工作电压,该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的,内存电压的高低,也反映了内存工作的实际功耗。一般而言,内存功耗越低,发热量也越低,工作也更稳定。DDR内存的工作电压为2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2时代,工作电压从2.5V降至1.8V;到了DDR3内存时代,工作电压从1.8V降至1.5V,相比DDR2可以节省30%~40%的功耗。为此我们也看到,从DDR内存发展到DDR3内存,尽管内存带宽大幅提升,但功耗反而降低,此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。

制造工艺:不断提高

从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高的工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低。譬如DDR内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺,而DDR2颗粒采用了0.09微米制造工艺,DDR3颗粒则采用了全新65nm制造工艺(1微米=1000纳米)。

总结

内存的知识就讲到这里了,总的说来,内存主要扮演着CPU数据仓库的角色,所以CPU性能的提升,内存的容量和性能都要跟得上,但也不可盲目地把内存容量配得过大。对于大多数用户来说2GB DDR2 800的内存就足够了,而偏高端一点的电脑使用总容量为4GB的内存就差不多了。

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附带散热片的533MHz 1G DDR2内存条

常用主板名词解释之DDR2内存

DDR2内存(俗称2代内存)是现有DDR内存(俗称一代内存)的换代产品,针对个人电脑市场的DDR2内存目前拥有400MHz、533MHz、667MHz(我的电脑用的就是667MHz的1G金斯顿内存条呵呵~)等不同频率。DDR2和DDR都采用了在时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输的基本工作方式,但是最大的区别在于,DDR2内存可以进行4位预读取,端口数据传输率和内存单元之间进行数据读写的速率两倍于DDR的预读系统命令数据的能力。(目前最新一代内存规范是DDR3,其最高支持1333MHz,关于DDR与DDR2和DDR3的比较请看《各类内存条的作用,参数及DDR2和DDR3的区别》——电脑维修知识库注)

双通道内存技术—常用主板名词解释

双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术,它依赖于芯片组的内存控制器发生作用,在理论上能够使两条相同规格的内存条所提供的宽带增长一倍。比如两个667内存条可以组成双通道,两条800内存也可以组成双通道,还比如最新的1333内存。只要是频率一样就可以。 支持双通道DDR内存技术的芯片组,intel平台方面有865P/865G/865GV等,VIA的PT880,ATI的radeon 9100IGP,SIS的SIS655系列等等,电脑维修知识库认为现在最新的主板一般都支持这一技术,只要看一下内存插槽如果颜色有两种说明99%支持。

笔记本内存安装方法

安装笔记本内存条及认识内存插槽

目前主流的笔记本内存规格

目前市场是比较常见的内存条的一般都是DDR2和DDR3这两种。一般都是512MB、1G、2G的。DDR3是目前最主流的。但是也是最贵的笔记本内存条。

笔记本内存条中间有一个小卡口,而且不在正中间,这样能避免插反。我做了个笔记本内存插法的图片。

笔记本内存的安装方法图

笔记本内存安装方法

笔记本内存条安装方法

这就是叠起来插两根内存条的笔记本内存插槽。

笔记本内存概况

由于笔记本电脑整合性高,设计精密,对于内存的要求比较高,笔记本内存必须符合小巧的特点,需采用优质的元件和先进的工艺,拥有体积小、容量大、速度快、耗电低、散热好等特性。出于追求体积小巧的考虑,大部分笔记本电脑最多只有两个内存插槽。由于笔记本的内存扩展槽很有限,因此单位容量大一些的内存会显得比较重要。而且这样做还有一点好处,就是单位容量大的内存在保证相同容量的时候,会有更小的发热量,这对笔记本的稳定也是大有好处的。

现代DDR2 667 2G笔记本内存

这个667的意思是内存的工作频率,越高越好,目前最高的是1333MHz

DDR2和DDR3笔记本内存

DDR2和DDR3: 大家知道SDRAM内存传输数据时一次只能传输1 bit的数据,在SDRAM内存上发展起来的DDR ,DDR2,DDR3,一次分别能传输2 bit ,4 bit,8 bit的数据。DDR 2的工作频率从667MHZ到1066MHZ不等,工作电压为 1.8V;DDR3 工作频率从1066MHz到1666MHZ,工作电压为1.5V。因此,从DDR2到DDR3,性能更好,功耗更低。

笔记本电脑的配件能按在台式电脑上用吗?

这是我在百度知道回答一个人的问题,我觉得还是挺有代表性的。发表出来给大家看看。

问题:笔记本电脑的配件能按在台式电脑上用吗?

当然是不行的。笔记本上的配件是按照笔记本来设计的。一般都比台式机小。在正常情况下是不能通用的,比如内存,笔记本的内存大概只有台式内存一半长,而且接口完全不一样。再说显卡,笔记本先河和台式机显卡那简直就是牛头不对马嘴的两个东西。不过在采用一些电脑维修工具的情况下能让笔记本的硬盘、内存这个两个东西移到台式机主板上用。其他的都不能用。

把笔记本硬盘用到台式机上要用的工具叫做:硬盘接口转接器

把笔记本内存转到台式机上用的工具叫做:笔记本转台式机内存转接卡

各类内存条的作用,参数及DDR2和DDR3的区别

今天要给大家讲的电脑知识是电脑内存条的作用、类型以及内存插槽。

内存条的作用

内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序,如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。其是连接CPU 和其他设备的通道,起到缓冲和数据交换作用。 当CPU在工作时,需要从硬盘等外部存储器上读取数据,但由于硬盘这个“仓库”太大,加上离CPU也很“远”,运输“原料”数据的速度就比较慢,导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题,人们便在CPU与外部存储器之间,建了一个“小仓库”—内存。

内存条类型和接口

一、DIMM(双inline记忆模块,双列直插内存模块)SDRAM接口;SDRAM dimm 为168Pin DIMM结构,如下图。金手指没面为84Pin,金手指上有两个卡口,用来避免插入接口时,错误将内存反方向插入导致烧毁。

不可否认的是,SDRAM 内存由早期的66MHz,发展后来的100MHz、133MHz,尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题,但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题,所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功,值得一提的是,为了方便一些超频用户需求,市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。

尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S,加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划,所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求,此时,Intel为了达到独占市场的目的,与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存(称为RDRAM内存)。与SDRAM不同的是,其采用了新一代高速简单内存架构,基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing,精简指令集计算机)理论,这个理论可以减少数据的复杂性,使得整个系统性能得到提高。

二、DDR内存,DIMM DDRAM内存接口采用184pin DIMM结构,金手指每面有92pin,如下图所示(DDR内存金手指上只有一个卡口)

SDRAM 内存条

有184针的DDR内存(DDR SDRAM)

芯片和模块

标准名称 I/O 总线时脉 周期 内存时脉 数据速率 传输方式 模组名称 极限传输率
DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列传输 PC-1600 1600 MB/s
DDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列传输 PC-2100 2100 MB/s
DDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列传输 PC-2700 2700 MB/s
DDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列传输 PC-3200 3200 MB/s

利用下列公式,就可以计算出DDR SDRAM时脉。

DDR I/II内存运作时脉:实际时脉*2。 (由于两笔资料同时传输,200MHz内存的时脉会以400MHz运作。)

内存带宽=内存速度*8 Byte‎‎

标准公式:内存除频系数=时脉/200→*速算法:外频*(除频频率/同步频率) (使用此公式将会导致4%的误差)

三、DDR2内存,DDR2接口为240pin DIMM结构,如下图。金手指每面有120pin,与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口。但是卡口的位置与DDR内存不同,因此DDR内存条是插不进DDR2内存条的插槽里面的。因此不用担心插错的问题。

DDR内存插槽

一款装有散热片的DDR2 1G内存条

DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽,而且其接口将运行于1.8V 电压上,从而进一步降低发热量,以便提高频率。此外,DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令,提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看,针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺,内存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。

各类DDR2内存条的技术参数

标准名称 I/O 总线时钟频率 周期 存储器时钟频率 数据速率 传输方式 模块名称 极限传输率 位宽
DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行传输 PC2-3200 3200MB/s 64位
DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行传输 PC2-4200
PC2-4300
4266 MB/s 64 位
DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行传输 PC2-5300
PC2-5400
5333 MB/s 64 位
DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行传输 PC2-6400 6400 MB/s 64 位
DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行传输 PC2-8500
PC2-8600
8533 MB/s 64 位

现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200,但必须在高电压下运作,以维持其稳定性。

四、DDR3内存条

第三代双倍资料率同步动态随机存取内存(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory,一般称为 DDR3 SDRAM),是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品,提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍),也是现时流行的内存产品。

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。

A-DATA出品的DDR3内存条(DDR SDRAM)

各类DDR2内存条的技术参数

标准名称 I/O 总线时脉 周期 内存时脉 数据速率 传输方式 模组名称 极限传输率 位元宽
DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列传输 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元
DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s 并列传输 PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元
DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列传输 PC3-10600 10.6 GiB/s 64 位元
DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列传输 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元
DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列传输 PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元
DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列传输 PC3-17000 64 位元

DDR2和DDR3的区别

  1. 逻辑Bank数量,DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2GB容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
  2. 封装(Packages),DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
  3. 突发长度(BL,Burst Length),由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可透过A12位址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
  4. 寻址时序(Timing),就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提升。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数──写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
  5. 新增功能──重置(Reset),重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能,如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有的操作,并切换至最少量活动的状态,以节约电力。在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程式装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
  6. 新增功能──ZQ校准,ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚透过一个命令集,经由片上校准引擎(ODCE,On-Die Calibration Engine)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与终结电阻器(ODT,On-Die Termination)的终结电阻值。当系统发出这一指令之后,将用相对应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

你还可以参考百度百科:http://baike.baidu.com/view/1365.htm