《表2 TDK公司PC系列锰锌铁氧体性能参数》
注:损耗的测量条件为200 mT/100 kHz
MnZn功率铁氧体发展大致经历了四代。其中20世纪末,国外公司研制出的第三代功率铁氧体,解决了100~500 kHz高频下功耗较大、磁性能下降较快的问题,其典型性能指标为:饱和磁感应强度500m T左右,在高温高频下(100 kHz,200 mT,100℃)损耗为400~500 kW/m3,如TDK公司的PC40,FDK公司的6H20,SIEMENS公司的N72材料等[17-18]。近十几年,低Pc材料取得了显著发展。TDK公司为代表,2003年上半年研究开发的PC45、PC46、PC47在谷点附近损耗低,温度一旦偏离谷点,损耗则急剧上升。其中,PC45功耗谷点在60~80℃范围内,PC46功耗谷点为在40~50℃范围内,PC44与PC47则在100℃附近。2003年下半年研究开发出宽温低功率损耗材料PC95则在25~120℃范围内,损耗Pc都低于350 mW/cm3,2004年又推出了PC90材料,100℃下Bs为450 mT,25℃下Bs为540 mT,100℃下损耗为320 mW/cm3,是综合性能优良的宽温低功率损耗材料[19],部分PC系列材料磁芯损耗随温度变化如图1所示,表2为TDK公司PC系列锰锌铁氧体性能参数。
图表编号 | XD00349800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.11.01 |
作者 | 周丽波、梁迪飞、李维佳、王云、袁玉灵、吴潘 |
绘制单位 | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、电子科技大学电子薄膜与集成器件 |
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