《表1 低κ材料的性能要求》
为了解决超大规模集成电路RC延迟的问题,科学家用低κ材料代替Si O2,但作为IMD材料不仅要求κ尽可能低,而且还需要材料电气、化学、机械和热学等性能满足薄膜制备需要。例如,电子元器件的制备过程中需要高温处理,处理温度达到500℃,所以低κ材料必须能耐住此温度环境几小时。另外,IMD材料各层间的线性膨胀系数也要匹配,否则会导致IMD材料层间的应力不匹配而导致互联结构发生断裂。而且作为超大规模集成电路IMD,低κ材料必须有大禁带宽度,低界面态密度和缺陷密度及少的化学价态,大的禁带宽度和缺陷密度是为了得到大的电子跃迁的势垒高度。理想的低κ材料的性能要求见表1[1-2]。
图表编号 | XD00197933100 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.04.25 |
作者 | 王海、程文海、周涛涛、卢振成、王凌振、蒋梁疏 |
绘制单位 | 浙江凯圣氟化学有限公司、浙江凯圣氟化学有限公司、浙江凯圣氟化学有限公司、浙江凯圣氟化学有限公司、浙江凯圣氟化学有限公司、浙江凯圣氟化学有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |