《表1 低κ材料的性能要求》

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《低介电常数材料研究及进展》


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为了解决超大规模集成电路RC延迟的问题,科学家用低κ材料代替Si O2,但作为IMD材料不仅要求κ尽可能低,而且还需要材料电气、化学、机械和热学等性能满足薄膜制备需要。例如,电子元器件的制备过程中需要高温处理,处理温度达到500℃,所以低κ材料必须能耐住此温度环境几小时。另外,IMD材料各层间的线性膨胀系数也要匹配,否则会导致IMD材料层间的应力不匹配而导致互联结构发生断裂。而且作为超大规模集成电路IMD,低κ材料必须有大禁带宽度,低界面态密度和缺陷密度及少的化学价态,大的禁带宽度和缺陷密度是为了得到大的电子跃迁的势垒高度。理想的低κ材料的性能要求见表1[1-2]。