《表1 Ga Se峰值强度、主峰位置、光吸收范围随x方向晶格参数改变的变化表》

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《纤铁矿TiO_2和GaSe二维晶体的能带调控研究》

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为了分析带隙Eg的变化对其吸收光谱的影响，本文进一步计算了其不同晶格系数下，GaSe的吸收光谱。其中，吸收光谱的改变具体体现为峰值强度（Absorption Maximum，AM）、主峰位置（Main Peak，MP）及光吸收范围（Range-R）的变化。计算结果如表1、表2和图10、图11、图12、图13所示。