《表2 国际静电协会 (ANSI) 标准中LED抗静电电压的等级 (截选) Tab.2 Standard class of antistatic voltage for LED by ANSI (in
测试初始电压为0 V,以500 V为一个阶段渐次增加放电电压,发生初次击穿时的电压即为LED器件的击穿电压,记录此时放电电压和漏电电流,得到表1。其中1号灯珠的击穿电压为0V,表明该样品存在反向漏电现象,在测试前反向电流即大于10μA。从表1所示测试结果可以看出,失效样品芯片的抗静电电压较低,灯珠被击穿后反向漏电电流在100 mA左右,部分灯珠测试前已经存在反向漏电。参照国际静电协会ANSI-ESDSTM5.1.2-1999标准(表2)可知LED样品的抗静电能力不强,推测LED灯珠中可能存在静电击穿导致的失效。
图表编号 | XD0017638500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.12.01 |
作者 | 宋嘉良、文尚胜、马丙戌、符民、胡捷频、彭星、方方、廖少雄、康丽娟 |
绘制单位 | 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室、华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室、复旦大学上海超精密光学制造工程技术研究中心、广东金鉴检测科技有限公司、广州虎辉照明科技公司、华南师范大学美术学院 |
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