《表2 茎流与环境因子的最优逐步回归模型》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《灌溉量对温室全有机营养液栽培甜瓜根际环境和茎流的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

注：SF是茎流流速，kg·h-1；Ta是温室内空气温度，℃；RH是温室内相对空气湿度，%；Ra是温室内太阳辐射强度，W·m-2；VPD是温室内饱和汽压差，k Pa；SWV是根际含水率，%；Ts是根际温度，℃；EC是根际电导率，d S·m-1。下同。

选取空气温度Ta，空气相对湿度RH，冠净辐射Rn，饱和蒸气压差（vapour pressure deficit，VPD）和根际温度Ts，根际含水率（rhizospheric water content，SWV），电导率EC与茎流进行逐步回归分析。步进条件为要输入因子的F的概率小于等于0.05，要除去的F的概率大于等于0.1。如表2所示，不同灌溉量处理逐步回归模型不同。阴天时，T1、T2、T3茎流量都和净辐射及温度显著相关性，T2与根际EC值、SWV、VPD显著相关性，但T1、T3则没有；T1、T2、T3回归模型中的剩余决定因子分别为0.06、0.16、0.12。晴天时，T1和气象环境因子中的Rn、VPD、RH相关性显著，T2相较于T1增加了自变量，分别是Ta，Ts，SWV，T3相较于T2增加了自变量，为根际EC值；T1、T2、T3回归模型中剩余决定因子分别为0.11、0.06、0.01。