《表5 不同预测方法的参数设置》

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《基于混合集成建模的硅单晶直径自适应非线性预测控制》

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从图11可知，所提控制方法和PID控制均能获得有效的晶体直径控制效果.然而，与常规PID方法相比，所提控制方法的直径设定值跟踪和干扰抑制性能更好，并且具有更好的动态跟踪和稳态性能.另外，在图12中，当时滞阶次d发生变化时，所提控制方法均能达到满意的晶体直径控制性能，更好地显示了其具有更强的鲁棒性.然而，对于常规PID控制方法而言，当时滞阶次d增大20%时，晶体直径控制难以较好地跟踪直径设定值，始终存在较大的控制误差，出现晶体直径控制效果抖振现象；当时滞阶次d减小20%时，晶体直径跟踪控制能够逐渐收敛到直径设定值附近，且受时滞阶次变化影响较小.因此，对于此类具有大滞后、慢时变动态特性的Cz法硅单晶生长过程，常规PID控制难免有其局限性，而所提控制方法具有明显的晶体直径控制优点，即准确、稳定的在线控制性能.