《表1 常见栅介质材料性能对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《铪基高κ材料研究及进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

从上世纪90年代末开始，国内外分别对高κ材料的系统性研究，直到2007年，Intel公司45 nm技术节点首次采用后栅工艺使用氧化铪（HfO2）材料作为高κ栅介质层，这是HfO2高κ材料的首次量产，从此确定了HfO2在高κ栅极介电材料领域的主导地位[3-5]。几种常见栅介质材料性能对比见表1[6]。