《表1 压汞法测试得到的SiO2疏松体孔结构数据》

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《SiO_2疏松体真空烧结致密化与透明化机理研究》

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此外，通过氮气吸附法表征了SiO2疏松体烧结过程孔隙结构的变化，随着烧结温度的升高，其比表面积逐渐降低，其中未烧结疏松体比表面积为63.07 m2/g，1000℃烧结样品为22.44 m2/g，1200℃烧结样品为9.60 m2/g。根据SiO2疏松体比表面积的变化，进一步验证了低密度SiO2疏松体表面自由能下降促进了其烧结致密化与透明化，作为烧结的主要驱动力之一，该分析结果解释了与图3和图4推断的结果一致。同时，该分析天然结晶态的石英砂（其比表面能极低）至少需要1730℃以上才能被熔化为石英玻璃，而低密度SiO2疏松体在1500℃以下即可烧结致密化与透明化，制备出无气泡的石英玻璃。