《自组织生长量子点激光器材料和器件》
点击下载 ⇩| 文件编号： | KEYAN666666605666 |
|---|---|
| 下载格式： | Word/DOC（PDF已转Word） |
| 中图分类： | TN242 |
| 完成/联系人 | 封松林 李树英 王志明 朱海军 汪辉 王海龙 |
| 完成单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 研究行业： | 电子器件制造 |
| 研究主题： | 波长控制,量子点激光器,激光器, |
| 联系地址： | 北京市海淀区清华东路甲35号 |
传媒
提出了一种基于纵向控制量子点尺寸提高量子点受限能级一致性的生长方，并成功地实现了激射光波长的控制，处世界领先地位。通过采用新的条形量子点激光器有源区的结构，将阈值降低了２／３（脉冲激射６０ｍＡ，连续激射７９ｍＡ），处于世界先进水平。研制的ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点激光器已实现室温连续激射，正常流片随机封装１０余只激光器，激射率１００％，大大超过合同规定的７７Ｋ激射的量子点激光器原型器件的要求。还研究了Ｓｉ掺杂对量子点均匀性和点大小的影响；比较系统地研究了工艺过程如退火、生长停顿、多层生长等对样品和器件质量的影响；用深能级瞬态谱技术系统地地对量子点物理性质和生长机理的研究是独具特色的工作。掌握了材料的生长工艺的提高材料性能的办法，为光学和电学测量提供了样品；结合工艺过程对样品进行了光学、电学和扫描探针显微技术的物理研究，取得了不少有意义的结果。十多篇文章在“半导体学报”，“红外与毫米波学报”，“物理学报”，“Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ
Ｃｒｙｓｔａｌ
ｇｒｏｗｔｈ”，“Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”，“Ｐｈｙｓｉｃｓ
ｏｆ
Ｌｏｗ－Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”，“Ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ
ａｎｄ
Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”等刊物上发表，并在国内外学术会议上报告。其中１９９７年７月在美国Ｌｉｎｃｏｌｎ，Ｎｅｂｒａｓｋａ召开的“１０ｔｈ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ
Ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ，Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，ａｎｄ
Ｍｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅｓ”上有四篇文章被接受。
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