《自组织生长量子点激光器材料和器件》

点击下载 ⇩

提出了一种基于纵向控制量子点尺寸提高量子点受限能级一致性的生长方,并成功地实现了激射光波长的控制,处世界领先地位。通过采用新的条形量子点激光器有源区的结构,将阈值降低了2/3(脉冲激射60mA,连续激射79mA),处于世界先进水平。研制的InAs/GaAs自组织生长量子点激光器已实现室温连续激射,正常流片随机封装10余只激光器,激射率100%,大大超过合同规定的77K激射的量子点激光器原型器件的要求。还研究了Si掺杂对量子点均匀性和点大小的影响;比较系统地研究了工艺过程如退火、生长停顿、多层生长等对样品和器件质量的影响;用深能级瞬态谱技术系统地地对量子点物理性质和生长机理的研究是独具特色的工作。掌握了材料的生长工艺的提高材料性能的办法,为光学和电学测量提供了样品;结合工艺过程对样品进行了光学、电学和扫描探针显微技术的物理研究,取得了不少有意义的结果。十多篇文章在“半导体学报”,“红外与毫米波学报”,“物理学报”,“Journal

of

Crystal

growth”,“Journal

of

Electronic

Materials”,“Physics

of

Low-Dimensional

Structures”,“Superlattice

and

Microstructures”等刊物上发表,并在国内外学术会议上报告。其中1997年7月在美国Lincoln,Nebraska召开的“10th

International

Conference

on

Superlattices,Microstructures,and

Microdevices”上有四篇文章被接受。

  1. 下载详细PDF版/Doc版

提示:为方便大家复制编辑,博主已将PDF文件制作为Word/Doc格式文件。