《硅器件与外延材料关系的研究》
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| 中图分类： | TN342 |
| 完成/联系人 | 刘玉岭 |
| 完成单位： | 河北工学院 |
| 科研日期： | 1991 |
| 研究行业： | |
| 研究主题： | 外延材料,硅器件,关系,外延层,综合,, |
| 联系地址： | 天津市红桥区丁字沽光荣道8号 |
传媒
这是涉及到单晶生长,硅片加工,外延生长,器件制备工艺等数十道工序的综合 系统工程.该项课题对上述内容进行了大量综合性基础研究,外延雾缺陷降至10/cm以下,外延层厚在10um以下,自参杂过渡区在1um以下;其外延层三层结构,N1 提示：为方便大家复制编辑，博主已将PDF文件制作为Word/Doc格式文件。