该项目主要目标是研发生产用于4G及4.5G主流超宽带移动通信系统的关键射频器件和模块，以及整合相关技术和资源的移动通信系统并具有自主知识产权的产品。产品主要用于4G及4.5G移动通信系统的基站及终端设备。项目目标产品针对4G及4.5G无线通信系统对射频器件及电路技术提出的新要求，在高线性、大功率，多频段多模式多功能、高集成化等诸多方面作了全新设计和优化并取得重大技术突破，对促进产业结构调整，提升4G及4.5G移动通信产业在国内国际市场的整体竞争力和水平有着十分重要的作用。

研发生产了针对TDD制式通信系统设计的大功率PIN芯片和射频收发控制开关模块产品，模块采用高导热率的GaN陶瓷封装，大大减小了芯片与电路板间的热阻，降低了芯片在同样功耗下的结温，提高了模块在大功率工作时的长期可靠性。

研发生产了采用新型E/D PHEMT工艺设计的超低噪声放大器芯片和模块。

研发成功基于SOI功率开关芯片的双通道接收前端。采用SOI工艺制作大功率开关芯片，砷化镓低噪放芯片及电源管理芯片集成封装在5mm×5mm标准QFN封装内。采用SOI工艺设计了一款控制电压为5伏、可通过20瓦连续波功率、隔离度分别大于40dB和20dB的SPDT射频开关，低噪放芯片内部集成了电源管理功能，采用MCM技术组装模块时单通道内只需用集成两颗芯片，大大提高了封装可生产性，有利于规模化生产。

研发生产了基于PIN大功率开关的接收前端模块。接收前端模块采用PIN二极管芯片设计大功率开关，内部集成硅驱动芯片，模块封装在5mm×5mm标准QFN封装内。可实现功率容量100瓦，插入损耗0.5dB，隔离度40dB。模块可广泛用于4G及4.5G移动通信基站系统。

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