《离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料》
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|---|---|
| 下载格式： | Word/DOC（PDF已转Word） |
| 中图分类： | TN304.7,TN304.055 |
| 完成/联系人 | |
| 来源省份： | 江苏 |
| 完成单位： | 南京大学 |
| 科研日期： | 2003 |
| 研究行业： | 电子器件制造 |
| 研究主题： | 离子注入法,制备,AlN基,稀释磁性半导体材料,半导体薄膜, |
| 联系地址： | 江苏省南京市汉口路22号 |
传媒
离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keY的能量注入磁性离子，然后在850～900℃、NH<,3>气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长技术相比，该成果能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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