IGZO薄膜材料作为新一代TFT有源层材料，比传统a-si迁移率高10-20倍，并且具有高的透过率，可以用来驱动OLED显示器件以及透明显示器件，因此被国内外平板显示行业视为明星材料；但由于IGZO材料易受到各膜层生长工艺，如气氛比例、生长温度、膜层厚度、膜层材料等因素的影响，其制作工艺复杂且受到各因素的正交影响，研发成功的仅有夏普、三星等几家显示行业巨头，IGZO薄膜TFT技术的国产化要求十分迫切，因此上海大学新型显示中心就IGZO薄膜技术进行开发，推进该技术的国产化步伐。技术创新点或优势：成功导出了基于氧化物IGZO的TFT工艺制程及参数，包括：IGZO薄膜溅射条件-溅射成膜工艺参数、溅射环境气氛及比例；基于IGZO薄膜的TFT器件结构设计；基于IGZO薄膜的TFT器件绝缘层、刻蚀阻挡层、钝化层等膜层材料的选择，以及各膜层的生长工艺条件对IGZO性能影响及趋势以及调节方法。技术经济指标：迁移率：> 10cm<'2>/Vs；开关比：≥108；亚域值摆幅(SS)：< 0.5V/dec。工业领域实际应用情况概述：基于氧化物TFT工艺技术研发，己经将TFT器件结构设及制造工艺、膜层生长条件等相关参数提供与上海天马微电子氧化物TFT产线供参考，使上天马快速从a-si线设备向IGZO线进行技术导入，提供了方向性的技术参考作用。

1. 下载详细PDF版/Doc版

提示：为方便大家复制编辑，博主已将PDF文件制作为Word/Doc格式文件。