《表2 ECCP模式实验条件》

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《薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究》

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实验分别研究了反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching，RIE)[7-8]和增强电容耦合等离子刻蚀（Enhanced Capacitive Couple Plasma，ECCP)[9-10]模式对材料的刻蚀效果。RIE模式刻蚀实验条件如表1所示，ECCP模式刻蚀实验条件如表2所示。