《表1 薄膜磁学与成分数据汇总》

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《金属含量对Co-TiO_2纳米颗粒复合薄膜微观结构及其性能的影响》

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图5a为不同溅射功率下的磁滞回线，图5b为磁滞回线的局部放大图，表1为磁滞回线中磁学数据的统计情况。随着Co靶溅射功率的提高，薄膜的饱和磁化强度（Ms）逐渐从0.43 T逐渐增加到0.65 T，在之前的文献中有过类似的报道[20-21]，这通常被解释为金属含量的增加以及金属颗粒团簇的形成。随着Co靶溅射功率的提高，薄膜矫顽力（Hc）逐渐从0.08 kA/m增高至14.2 kA/m。这可以通过G.herzer的理论模型[22]来解释：在纳米颗粒薄膜中，矫顽力与晶粒尺寸成正相关，随着Co含量的增加，金属颗粒逐渐发生团簇，颗粒尺寸逐渐增大，进而使薄膜中的矫顽力逐渐增高。与此同时，随着Co靶溅射功率的提高，剩磁比（Mr/Ms）也逐渐从0.01增加至0.28，饱和磁化强度、矫顽力和剩余磁化强度都随着Co靶溅射功率的提高而显著增加，这暗示着薄膜Co相对含量在53%～62%范围内的变化，使得薄膜逐渐从超顺磁状态向铁磁态转变。并且当金属含量增加到62%时，薄膜尚未完全呈现铁磁态，当外磁场强度处于-20～20 kA/m范围内，薄膜中仍有部分表现为超顺磁状态，这也意味着此时薄膜为铁磁与超顺磁共存。与此同时，薄膜磁性数据的变化同图1中Co金属含量的变化规律相同，这说明通过金属含量的调节可以明显改变薄膜的磁学性能。