《表2 硅对镉胁迫下烟草叶片可变荧光和光化学效率的影响 (1)》
注:(1)同列数据后带有不同小写字母者表示0.05水平上的差异显著性。下同。
由表2可知,与CK相比,Cd0.05和Cd0.10处理的可变荧光(Fv)分别降低了4.48%和11.03%,差异显著;Cd0.05处理的最大光化学效率(Fv/Fm)和潜在光化学效率(Fv/Fo)差异不明显,Cd0.10处理的Fv/Fm和Fv/Fo显著降低。表明较低镉浓度处理对烟草叶片光化学效率的影响不明显,而较高镉浓度处理导致烟草叶片光化学效率受到抑制。Fv/Fm在Cd0.05处理时变化不大,但Fv和Fm的变化显著,这可能是由于部分叶绿体超微结构的改变引起的。有研究表明,类囊体发生肿胀、高度破坏,光合合成单位及膜结合电子传递进程也会受到破坏,即使Fv/Fm没有或很小变化,初始荧光参数也会受到叶片结构状态的影响[18]。加硅处理后,Fv较胁迫处理显著增加,Fv/Fm和Fv/Fo在Cd0.05+Si处理时略有上升,在Cd0.10+Si处理时显著增加,这可能是由于加硅处理使叶绿体超微结构变得完整[9],提高了烟草叶片Mg的含量[19],使镉胁迫条件下烟草叶片的光合色素含量增加[8],进而有利于光化学效率的提高。
图表编号 | XD0097006100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.08.01 |
作者 | 罗丽娟、唐莉娜、陈星峰、李延 |
绘制单位 | 福建农林大学资源与环境学院、福建省土壤环境健康与调控重点实验室、福建省烟草公司烟草科学研究所、福建省烟草公司烟草科学研究所、福建农林大学资源与环境学院、福建省土壤环境健康与调控重点实验室 |
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