《表2 SO2气体传感器研究》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《SF_6电气设备绝缘故障诊断用SO_2、H_2S气体传感器研究进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

基于半导体材料（SnO2、WO3、TiO2、ZnO等）的SO2气体传感器已经被广泛地研究并取得了较大进展，见表2。例如，文[8]在微热板上采用RF溅射法制备Pt掺杂WO3薄膜并测试了其对SO2等气体的气敏特性，结果显示在工作温度为200℃时传感器对1μL/L SO2显示出约5.9的响应度。文[9]采用化学水浴沉积法（chemical bath deposition，CBD）制备ZnO纳米棒阵列，并研究了厚度对气敏特性的影响，见图1[9]。实验结果表明，通过两次CBD得到的ZnO纳米棒阵列在300℃工作温度下对70μL/L SO2的响应度可达93%，响应和恢复时间分别为5.8 min和4.6 min。这比一次CBD得到的ZnO纳米棒阵列具有更优的性能，表明采用长的ZnO纳米棒阵列有利于提高SO2气体敏感特性。文[10]构筑了基于TiO2纳米管阵列的气体传感器，并研究了其对SF6分解产物的气敏特性。结果表明，所制备的TiO2纳米管阵列对10～50μL/L的SO2气体均有较明显的效应，且这种响应与SO2体积分数之间具有较好的线性关系。