《表1 P-BN-IID与P-BN-fIID的数均分子量,光物理与电化学性质以及电子迁移率》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于含氟异靛蓝的硼氮配位键高分子电子受体》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图6（b）为两个高分子薄膜的电子迁移率测试与拟合结果，具体数据列在表1中。P-BN-fIID的电子迁移率为3.54×10-5 cm2/（V·s），较P-BN-IID的电子迁移率有所提高，这归因于P-BN-fIID在薄膜态的有序堆积结构和相对紧密的链堆积结构。这两个高分子受体与高性能的高分子受体相比，它们的电子迁移率均较低，这可能是由于硼原子上的苯基阻碍了高分子链的紧密排列，限制了电子在链间的有效跳跃传输。