《表1 焊接接头的电化学数据参数》
焊接接头各微区的极化曲线如图2(a)所示。由图2得到的各参数数值如表1所示。母材C(C-BM)的自腐蚀电位最正,为-599 mV,析氢电位最负;焊缝区次之;A侧热影响区(A-HAZ)的自腐蚀电位最负,为-665 mV,析氢电位最正。另外,由扫描Kelvin探针测试结果(图2(b))可知,A侧母材区(A-BM)的伏打电位约在30 mV左右;A侧热影响区伏打电位明显负移,最负值约在熔合线的附近,大约在-70 mV左右,表明热影响区的电子逸出功下降,更容易失去电子。而从热影响区向焊缝区方向,伏打电位差逐步上升至90 mV左右稳定,表明焊缝区表面更为稳定,电子逸出难度增大,这跟焊缝区致密的下贝氏体组织有关,随后C侧热影响区(C-HAZ)的伏打电位开始下降,而到C母材区又出现上升趋势。最终结果,C母材区的伏打电位最正,热影响区的最负,尤其是A侧热影响区(近熔合线处),与焊缝区相差约160 mV。由焊接接头各区域自腐蚀电位和伏打电位值的规律性一致,可以判断出接头的两侧热影响区最容易被腐蚀,其次是母材A,然后是焊缝,母材C的耐蚀性最好。由析氢电位大小可知,母材A的析氢倾向明显大于焊缝;两侧热影响区最易发生析氢,尤其是A侧热影响区。
图表编号 | XD0086227100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.15 |
作者 | 高心心、梁晓明、刘保成、刘雨、于立华 |
绘制单位 | 青岛科技大学、青岛科技大学、青岛科技大学、青岛科技大学、青岛科技大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |