《表1 不同IC中间填充图形比较》

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《TFT-LCD摩擦工艺过程中静电放电不良分析及改善设计》

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为了进一步从设计源头明确此不良的相关性，对比了IC1和IC2中间、IC2和IC3中间及IC3和IC4中间填充图形的设计。表1是针对不同位置填充图形的对比结果。从表中可以看出，IC1和IC2中间及IC3与IC4中间填充图形的面积较IC2和IC3中间较大，而IC2与IC3中间无线不良的发生。