《表1 器件的性能参数：基于微结构阵列基板的高效顶发射OLED器件》

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《基于微结构阵列基板的高效顶发射OLED器件》

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（a）启亮电压在0.25mA/cm2下测得；（b）驱动电压、亮度在40mA/cm2下测得；（c）电流效率、峰位和色坐标均是器件最高效率时的值。

图4 (d）为器件归一化光谱曲线，由于微腔的存在会使光谱本峰宽变窄，或者发生位移，然而，由图4 (d）可见器件在使用方格阵列基板代替平坦基板后，器件的归一化光谱形状几乎没有变化，峰位仅偏移1nm。也就是说，方格阵列基板不会影响器件原有的微腔结构，因而在实际应用中不需要更改器件结构，直接替换即可。具体参数如表1所示。