《表1 BNBT和BBNT陶瓷晶胞参数》

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《A位离子改性对BaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷电学性能的影响》

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图1为BNBT陶瓷的XRD衍射图谱。图1（a）为利用Jade 6.5软件对陶瓷样品进行相结构分析所得的XRD衍射图谱，从图1（a）可以看出，BNBT陶瓷的主要衍射峰与BBT陶瓷一致，其最强衍射峰（119）峰) 符合典型的（112m+1）[23]结构（其中m为一个常数，表示位于类钙钛矿 （Am-1Bm O3 m+1）2-层和（Bi2O2）2+层间的BO6的数目） 。图1（b）为陶瓷最强衍射峰（ （119）峰） 局部放大XRD衍射图谱，从图1（b）可看出，与BBT（～29.881°）陶瓷相比，BNBT陶瓷的主要衍射峰（BNBT5 （30.039°）和BNBT10（29.901°）） 略微向高角度偏移，当Nd掺杂量从0.05增加到0.10时，其最强衍射峰（ （119）峰） 先向高角度偏移后又转移到低角度。表1为Nd改性BBT陶瓷的晶胞参数（晶胞参数是决定晶胞形状、大小的一组参数，包括晶胞的3组棱长a，b，c和3组棱相互间的夹角α，β，γ），由表1可以看出，随着Nd掺杂量的增加，BNBT陶瓷的晶胞参数c呈现出先减小后增大的趋势，与最强衍射峰（ （119）峰） 的偏移一致，这是由于Nd3+的引入导致陶瓷内部产生晶格畸变，从而引起最强衍射峰位置发生变化。