《表1 图2中平行条纹移动的距离D和外延层去除厚度H的对应关系》
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名：随高清版一同展现
《4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究》
图2的腐蚀结果发现，反复抛光去除一定的外延层厚度后，I类层错的尾部，即平行条纹沿着<112ˉ0>晶向向着晶体生长的上台阶流方向移动。记录每次平行条纹移动的距离D和抛光去除厚度H，如表1所示，发现他们满足如下的关系式:
| 图表编号 | XD0077637900 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.07.01 |
| 作者 | 郭钰、彭同华、刘春俊、杨占伟、蔡振立 |
| 绘制单位 | 北京天科合达半导体股份有限公司、新疆天富能源股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、新疆天富能源股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
