《表1 杂质元素的分析结果》

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《单晶α-Si_3N_4纳米线宏量制备研究》

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图4为Si3N4微米粉体形貌照片。对比图1（b）～（c）与图4（a）～（b）可知，造粒硅粉球氮化后生成的Si3N4微米粉体仍保持了初始的多孔球形特征，并且由于高温氮化导致内部亚微米粉体之间存在一定程度的烧结，Si3N4微米粉体具有较高的强度，经过破碎研磨后仅发生轻度破碎，其平均粒径从初始的147μm下降至93μm。研磨后的Si3N4粉体外表层的纳米线层脱落较完全，颗粒表面仅粘附有短纳米线（0.1～3.0μm），粉体内部也有少量纳米线，但由于生长空间限制，数量少且短（<1μm）。